Вопрос задан 03.10.2023 в 02:22. Предмет Физика. Спрашивает Дяків Юрій.

Особенности протекания токов полупроводники​

0 0
Перейти к ответам

Ответы на вопрос

Внимание! Ответы на вопросы дают живые люди. Они могут содержать ошибочную информацию, заблуждения, а также ответы могут быть сгенерированы нейросетями. Будьте внимательны. Если вы уверены, что ответ неверный, нажмите кнопку "Пожаловаться" под ответом.
Отвечает Титова Настя.

1. В полупроводниках существуют отрицательные переносчики тока (электроны) и положительные переносчики тока.

2. С повышением температуры или увеличением напряженности электрического поля увеличивается количество электронов, отрывающихся от атомов кристаллической решетки. Значит, число переносчиков тока в единице объема в этом случае растет, а удельное сопротивление полупроводника уменьшается.

3. Из-за большого удельного сопротивления полупроводников постороннее электрическое поле проникает в них глубже, чем в металлы.

4. Введением примеси в полупроводник можно заметно изменить его удельное сопротивление и характер проводимости.

0 0
Отвечает нейросеть ChatGpt. Будьте внимательны, ответы нейросети могут содержать ошибочные или выдуманные данные.

Протекание токов через полупроводники имеет свои особенности, которые отличаются от проводников и диэлектриков. Основные моменты включают в себя:

  1. Перенос носителей заряда:

    • В полупроводниках ток протекает за счет движения электронов (носителей отрицательного заряда) и дырок (отсутствие электрона, рассматриваемое как положительно заряженный носитель).
    • Электроны могут передвигаться при влиянии электрического поля или при повышении температуры (термическая генерация).
  2. Подвижность носителей:

    • Подвижность электронов и дырок в полупроводниках обычно намного меньше, чем в металлах, что связано с наличием кристаллической решетки и примесями.
    • Подвижность может изменяться в зависимости от типа и концентрации примесей.
  3. Типы проводимости:

    • Полупроводники могут быть интрузивными (положительными) или электронными (отрицательными) в зависимости от того, какие носители заряда преобладают в материале.
  4. Полупроводниковый переход (p-n переход):

    • Образование p-n перехода (границы между полупроводниками типа p и n) является важным моментом для создания полупроводниковых устройств, таких как диоды и транзисторы.
  5. Эффект теплового возбуждения:

    • Возрастание температуры может увеличить проводимость полупроводника, так как это способствует более активному движению носителей заряда.
  6. Дрейф и диффузия:

    • Дрейф и диффузия играют важную роль в перемещении носителей заряда в полупроводниках под воздействием электрических полей и концентрационных градиентов.
  7. Эффекты поверхности и границ зерен:

    • На поверхности полупроводников и в зернах могут возникать дополнительные эффекты, влияющие на проводимость.
  8. Температурные зависимости:

    • Проводимость полупроводников сильно зависит от температуры, и она обычно увеличивается с повышением температуры.

Изучение этих особенностей имеет фундаментальное значение для разработки и понимания работы полупроводниковых устройств, таких как полупроводниковые диоды, транзисторы и интегральные микросхемы.

0 0

Похожие вопросы

Топ вопросов за вчера в категории Физика

Последние заданные вопросы в категории Физика

Задать вопрос