Question

!СРОЧНО! ДАЮ 50 баллов Характеристики p-n перехода

Answer 1

Объяснение:

Вроде вот они должны быть

Answer 2

Полупроводниковый p-n переход является ключевым элементом в электронике и оптоэлектронике. Он образуется путем соединения полупроводниковых материалов типа p (позитивный) и n (негативный). Вот некоторые характеристики p-n перехода:

1. Диффузия носителей заряда: При формировании p-n перехода из области p-типа в область n-типа идет диффузия носителей заряда. Электроны переходят из области n в область p, а дырки переходят из области p в область n. Это создает зону около перехода, называемую зоной диффузии.

2. Зона обеднения: При диффузии носителей образуется зона обеднения, где носители заряда (электроны и дырки) редки. Это происходит из-за рекомбинации носителей в этой области.

3. Потенциальный барьер: На границе между p- и n-областями образуется потенциальный барьер из-за разницы в концентрации носителей. Этот барьер называется p-n переходом и создает электрическое поле, направленное от p к n.

4. Обратное напряжение: Приложение обратного напряжения к p-n переходу увеличивает потенциальный барьер и ограничивает поток носителей через переход. Переход становится непроводящим в обратном направлении, за исключением туннельной рекомбинации.

5. Прямое напряжение: Приложение прямого напряжения снижает потенциальный барьер и позволяет носителям заряда свободно двигаться через переход. Ток начинает протекать через переход.

6. Пробой: При достижении определенного обратного напряжения (напряжения пробоя) образуется лавинообразное увеличение тока. Это называется обратным пробоем и может привести к повреждению перехода.

7. Время релаксации: После применения прямого или обратного напряжения, когда напряжение убирается, p-n переход не сразу возвращается к равновесному состоянию из-за времени релаксации.

8. Фотодиоды и лазеры: P-n переходы используются в различных устройствах, таких как фотодиоды, где свет может генерировать электрон-дырочные пары, и лазеры, где p-n переход создает условия для усиления света.

Эти характеристики p-n перехода играют важную роль в функционировании полупроводниковых устройств и технологий.