Question

Как зависит сопротивление полупроводника от р-n перехода​

Answer 1

Ответ:

При прямом p-n переходе сопротивление полупроводника будет в несколько раз меньше, чем при обратном p-n переходе.

Answer 2

Сопротивление полупроводника, образованного p-n переходом, зависит от нескольких факторов, включая концентрацию носителей заряда, длину диффузионного пробега и концентрацию примесей в разных областях перехода.

При p-n переходе в полупроводнике образуется граница между областью p-типа, где преобладают "дырки" (положительные носители заряда), и областью n-типа, где преобладают электроны (отрицательные носители заряда). В месте перехода возникает область пространственного заряда, называемая переходной областью или областью пространственного заряда (depletion region).

Сопротивление полупроводника зависит от ширины переходной области, которая в свою очередь зависит от приложенного напряжения или обратного смещения (reverse bias). При обратном смещении ширина переходной области увеличивается, что приводит к увеличению сопротивления.

Кроме того, сопротивление полупроводника также зависит от концентрации примесей в областях p-типа и n-типа. Большая концентрация примесей в области p-типа и меньшая концентрация примесей в области n-типа приводят к увеличению сопротивления.

Таким образом, сопротивление полупроводника от р-n перехода зависит от ширины переходной области и концентрации примесей в областях p-типа и n-типа.