Вопрос задан 29.06.2023 в 02:00. Предмет Физика. Спрашивает Хисметолла Маха.

Объясните как работает полевые полевые транзисторы

0 0
Перейти к ответам

Ответы на вопрос

Внимание! Ответы на вопросы дают живые люди. Они могут содержать ошибочную информацию, заблуждения, а также ответы могут быть сгенерированы нейросетями. Будьте внимательны. Если вы уверены, что ответ неверный, нажмите кнопку "Пожаловаться" под ответом.
Отвечает Мой Зардулик.

Ответ:

Принцип действия лежит в управлении с помощью электрического поля, а оно образуется при приложении напряжения. То есть полевые транзисторы управляются напряжением. Полевой транзистор практически не потребляет тока управления, это снижает потери управления, искажения сигнала, перегрузку по току источника сигнала

0 0
Отвечает нейросеть ChatGpt. Будьте внимательны, ответы нейросети могут содержать ошибочные или выдуманные данные.

Полевой транзистор (FET) - это полупроводниковое устройство, которое используется для усиления и управления электронным сигналом в электронных схемах. Существует несколько разновидностей полевых транзисторов, но два основных типа - это усилители с изолированным затвором (IGFET) и усилители с открытым затвором (JFET). Оба они работают на основе управления током между истоком и стоком с помощью электрического поля, создаваемого на затворе.

  1. IGFET (МОП-транзистор или транзистор с изолированным затвором):

    • Структура: IGFET состоит из полупроводникового канала, обычно сделанного из кремния, между истоком и стоком. На верхней части канала находится изоляционный слой (обычно диэлектрик), а сверху этого слоя располагается металлический затвор.
    • Работа: Поле, создаваемое на затворе, управляет электронами в канале. Приложение напряжения на затвор изменяет электростатическое поле, что в свою очередь изменяет проводимость канала. Когда напряжение на затворе увеличивается, увеличивается проводимость канала, и ток между истоком и стоком увеличивается. Это позволяет использовать IGFET как усилитель или ключевой элемент в цифровых схемах.
  2. JFET (транзистор с открытым затвором):

    • Структура: JFET также имеет полупроводниковый канал между истоком и стоком, но затвор в данном случае не изолирован, а открыт. Затвор представляет собой полупроводниковую область, через которую проходит ток утечки между истоком и стоком.
    • Работа: В JFET электростатическое поле, создаваемое напряжением на затворе, управляет шириной канала. При увеличении напряжения на затворе ширина канала уменьшается, и ток между истоком и стоком уменьшается. Это также позволяет управлять током между истоком и стоком с помощью напряжения на затворе.

Оба типа полевых транзисторов имеют свои особенности и применения. IGFET чаще используется в современных интегральных схемах и операционных усилителях, а JFET менее распространен, но все равно имеет свои области применения, такие как высокочастотные усилители.

0 0

Похожие вопросы

Топ вопросов за вчера в категории Физика

Последние заданные вопросы в категории Физика

Задать вопрос