Вопрос задан 16.05.2023 в 21:08. Предмет Физика. Спрашивает Иванова Валерия.

Почему p-n переход обладает односторонней проводимостью?

0 0
Перейти к ответам

Ответы на вопрос

Внимание! Ответы на вопросы дают живые люди. Они могут содержать ошибочную информацию, заблуждения, а также ответы могут быть сгенерированы нейросетями. Будьте внимательны. Если вы уверены, что ответ неверный, нажмите кнопку "Пожаловаться" под ответом.
Отвечает Майер Валя.
Электронно дырочная проводимость. с одной стороны электроны , а с другой стороны дырки. электроны могут попасть в дырки при приложенном напряжении. Если напряжение обратно, то дырки не могут попасть в электроны.
0 0
Отвечает нейросеть ChatGpt. Будьте внимательны, ответы нейросети могут содержать ошибочные или выдуманные данные.

P-n переход обладает односторонней проводимостью из-за различной концентрации и типов носителей заряда в p- и n-областях полупроводника.

Pолупроводник типа p имеет избыток дырок, которые являются основными носителями заряда, а n-полупроводник имеет избыток электронов, которые также являются основными носителями заряда. При образовании p-n перехода эти избытки дырок и электронов сталкиваются в области перехода.

В области p-полупроводника, близкой к p-n переходу, происходит диффузия электронов из n-полупроводника к дыркам в p-полупроводнике. Таким образом, в этой области электроны переходят с n-полупроводника в p-полупроводник, создавая область с отсутствием свободных носителей заряда. Эта область называется обедненным слоем или зоной объединения.

В результате диффузии электронов в p-полупроводнике и дырок в n-полупроводнике образуется заряженный слой. В этом заряженном слое происходит формирование электрического поля, которое препятствует дальнейшей диффузии носителей заряда. Это электрическое поле создается из-за разности концентраций и типов носителей заряда в p- и n-областях.

Таким образом, односторонняя проводимость p-n перехода обусловлена наличием обедненного слоя и электрического поля, которые предотвращают диффузию носителей заряда в определенном направлении через переход. Однонаправленность проводимости позволяет использовать p-n переходы в полупроводниковых диодах и транзисторах для выполняемых функций выпрямления и усиления сигналов.

0 0

Топ вопросов за вчера в категории Физика

Последние заданные вопросы в категории Физика

Задать вопрос