Question

Чому питомий опір напівпровідників змінюється з ростом температури?

Answer 1

Объяснение:

Збільшується за рахунок підвищення його температури. Це пов’язано з тим, що висока температура викликає вивільнення деяких електронів зовнішніх орбіт та їх збільшення в русі, що викликає опір струму, що проходить через них. Якщо опір дроту при кімнатній температурі дорівнює Ro, то його опір при T дорівнює R

Answer 2

Питомий опір напівпровідників змінюється з ростом температури через вплив теплового руху електронів і дірок, які є основними носіями заряду в напівпровідниках.

У більшості напівпровідників опір зменшується з підвищенням температури. Це пояснюється наступним чином:

1. Тепловий рух носіїв заряду: З підвищенням температури кількість теплових коливань у напівпровіднику зростає, що спричиняє більше енергії для електронів і дірок. Це дозволяє їм легше подолати бар'єри та перешкоди у структурі напівпровідника, що призводить до зменшення опору.

2. Зміна концентрації носіїв заряду: При збільшенні температури зазвичай збільшується концентрація вільних носіїв заряду (електронів або дірок) у напівпровіднику, оскільки більше зв'язків можуть бути зірвані, створюючи більше носіїв. Це також призводить до зменшення опору.

3. Зміна руху носіїв заряду: Тепловий рух також сприяє підвищенню швидкості руху електронів та дірок, що в свою чергу може збільшити їхню рухливість. Вища рухливість носіїв заряду означає більше ефективних носіїв, які можуть переносити струм, що також впливає на зниження опору.

Важливо відзначити, що характер зміни опору з температурою може відрізнятися в залежності від типу напівпровідника (наприклад, n-тип або p-тип) та домішкового забруднення. У деяких випадках (наприклад, у деяких термічно компенсованих напівпровідниках) опір може зростати зі збільшенням температури через специфічні механізми впливу температури на кількість та рух носіїв заряду.

Загалом, залежність опору напівпровідників від температури є складним явищем, яке може бути описане різними теоретичними моделями для різних типів напівпровідників та умов.