
Чтобы получить полупроводник с дырочкой проводимостью в чистый кремний можно добавить ?


Ответы на вопрос




Для получения полупроводника с дырочной проводимостью в чистом кремнии требуется внести определенные примеси или добавки. В чистом кремнии количество электронов и дырок (отсутствие электронов) примерно равны, поэтому его проводимость является интрузивной. Однако, чтобы создать дырочную проводимость, можно добавить примеси из группы третьего элемента периодической системы, такие как бор, галлий или индий. Эти элементы имеют на один электрон меньше в своей валентной оболочке, чем кремний.
Добавление примесей третьего элемента в кремний вызывает процесс, известный как допирование. При допировании бором или другими элементами из группы третьего элемента, атомы примеси занимают места кремниевых атомов в кристаллической решетке кремния. Поскольку у этих примесей на один электрон меньше, чем у кремния, в результате образуются "дырки" в валентной зоне материала. Эти дырки могут двигаться в материале, обеспечивая дырочную проводимость.
Таким образом, добавление примесей третьего элемента, таких как бор, галлий или индий, в кремний позволяет создать полупроводник с дырочной проводимостью.


Топ вопросов за вчера в категории Физика







Последние заданные вопросы в категории Физика
-
Математика
-
Литература
-
Алгебра
-
Русский язык
-
Геометрия
-
Английский язык
-
Химия
-
Физика
-
Биология
-
Другие предметы
-
История
-
Обществознание
-
Окружающий мир
-
География
-
Українська мова
-
Информатика
-
Українська література
-
Қазақ тiлi
-
Экономика
-
Музыка
-
Право
-
Беларуская мова
-
Французский язык
-
Немецкий язык
-
МХК
-
ОБЖ
-
Психология
-
Физкультура и спорт
-
Астрономия
-
Кыргыз тили
-
Оʻzbek tili