Вопрос задан 11.03.2021 в 15:34. Предмет Физика. Спрашивает Соколова Ангелина.

Чтобы получить полупроводник с дырочкой проводимостью в чистый кремний можно добавить ?

0 0
Перейти к ответам

Ответы на вопрос

Внимание! Ответы на вопросы дают живые люди. Они могут содержать ошибочную информацию, заблуждения, а также ответы могут быть сгенерированы нейросетями. Будьте внимательны. Если вы уверены, что ответ неверный, нажмите кнопку "Пожаловаться" под ответом.
Отвечает Салауатова Куралай.
Чтобы получить полупроводник с дырочкой проводимостью в чистый кремний можно добавить  небольшое количество атомов трехвалентного элемента (например, индия) . Каждый атом примеси устанавливает ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. Для установки связи с четвёртым атомом кремния у атома индия нет валентного электрона, поэтому он захватывает валентный электрон из ковалентной связи между соседними атомами кремния и становится отрицательно заряженным ионом, вследствие чего образуется дырка. Примеси, которые добавляют в этом случае, называются акцепторными.
0 0
Отвечает нейросеть ChatGpt. Будьте внимательны, ответы нейросети могут содержать ошибочные или выдуманные данные.

Для получения полупроводника с дырочной проводимостью в чистом кремнии требуется внести определенные примеси или добавки. В чистом кремнии количество электронов и дырок (отсутствие электронов) примерно равны, поэтому его проводимость является интрузивной. Однако, чтобы создать дырочную проводимость, можно добавить примеси из группы третьего элемента периодической системы, такие как бор, галлий или индий. Эти элементы имеют на один электрон меньше в своей валентной оболочке, чем кремний.

Добавление примесей третьего элемента в кремний вызывает процесс, известный как допирование. При допировании бором или другими элементами из группы третьего элемента, атомы примеси занимают места кремниевых атомов в кристаллической решетке кремния. Поскольку у этих примесей на один электрон меньше, чем у кремния, в результате образуются "дырки" в валентной зоне материала. Эти дырки могут двигаться в материале, обеспечивая дырочную проводимость.

Таким образом, добавление примесей третьего элемента, таких как бор, галлий или индий, в кремний позволяет создать полупроводник с дырочной проводимостью.

0 0

Топ вопросов за вчера в категории Физика

Последние заданные вопросы в категории Физика

Задать вопрос