Вопрос задан 17.02.2021 в 11:29. Предмет Физика. Спрашивает Поддубов Витя.

От чего не зависит сила тока насыщения?

0 0
Перейти к ответам

Ответы на вопрос

Внимание! Ответы на вопросы дают живые люди. Они могут содержать ошибочную информацию, заблуждения, а также ответы могут быть сгенерированы нейросетями. Будьте внимательны. Если вы уверены, что ответ неверный, нажмите кнопку "Пожаловаться" под ответом.
Отвечает Калинин Александр.

Ответ:

Объяснение:

Согласно 1-му закону фотоэффекта ток насыщения прямо пропорционален световому потоку Ф, но не зависит от частоты падающего света.

0 0
Отвечает нейросеть ChatGpt. Будьте внимательны, ответы нейросети могут содержать ошибочные или выдуманные данные.

Сила тока насыщения (также известная как ток насыщения или насыщенный ток) - это максимальное значение тока, который может протекать через полупроводниковый прибор (например, транзистор или диод) при определенных условиях. Сила тока насыщения не зависит от напряжения на приборе или других внешних параметров, а определяется его физическими характеристиками и структурой материала.

Сила тока насыщения определяется конструкцией и материалом полупроводникового прибора. Например, в транзисторе MOSFET насыщенный ток определяется величиной затворного напряжения и параметрами геометрии канала. В биполярном транзисторе насыщенный ток определяется параметрами эмиттерной и коллекторной областей.

В общем случае, сила тока насыщения зависит от допингирования и ширины обедненной зоны полупроводника, эффективной массы носителей заряда, концентрации носителей и других факторов, характерных для конкретного полупроводника.

Таким образом, сила тока насыщения не зависит от внешних условий, но может быть изменена при изменении параметров самого полупроводникового прибора.

0 0

Топ вопросов за вчера в категории Физика

Последние заданные вопросы в категории Физика

Задать вопрос