Question

Люди помогите с вопросами пожалуйста 1. Дайте классификацию литографических процессов. 2. Фотолитография - это… 3. Основные параметры определяющими технологический уровень являются…. 4. Составьте схему процесса контактной фотолитографии и кратко опишете каждый этап.

Answer 1

Фотолитография- метод получения определенного рисунка , на поверхности материала

Answer 2

Конечно, я помогу вам с вопросами по литографическим процессам:

1. Классификация литографических процессов:

   • Оптическая литография: использует видимый свет или ультрафиолетовое (УФ) излучение для печати микрошаблонов.
   • Электронно-лучевая литография: применяет пучок электронов для создания микроструктур на поверхности.
   • Рентгеновская литография: использует рентгеновское излучение для более точной печати наноструктур.
   • Ионно-лучевая литография: использует ионы для создания микромасштабных узоров.
   • Лазерная литография: применяет лазерное излучение для формирования микроструктур.

2. Фотолитография - это процесс создания микрошаблонов (масок) и передачи узоров с маски на поверхность полупроводникового материала или других материалов с помощью фоточувствительных реакций и световой экспозиции.

3. Основные параметры, определяющие технологический уровень:

   • Разрешение: минимальный размер узора, который можно создать.
   • Точность выравнивания: способность выровнять маску с предыдущими слоями.
   • Глубина фокусировки: диапазон глубины, в пределах которой узоры остаются в фокусе.
   • Скорость и продуктивность: количество обрабатываемых подложек за определенное время.
   • Дефектность: количество дефектов на изготовленных структурах.

4. Схема процесса контактной фотолитографии:

   1. Подготовка подложки: Подложка (обычно кремний) подвергается предварительной очистке и обработке для обеспечения оптимальной адгезии фоточувствительного слоя.
   2. Покрытие фоточувствительным слоем (резистом): На поверхность подложки наносится слой фоточувствительного резиста.
   3. Выравнивание и высветление: Маска с узором выравнивается над подложкой, затем подложка подвергается ультрафиолетовой экспозиции. Узор маски передается на резист.
   4. Разработка: После экспозиции, резист подвергается процессу разработки, который удаляет экспонированный либо неподвергнутый экспозиции резист, в зависимости от типа резиста (позитивный или негативный).
   5. Травление: Если нужно, подложка может быть подвергнута травлению, чтобы убрать ненужные слои или изменить их геометрию.
   6. Очистка и проверка: После завершения травления, проводится очистка поверхности и проверка полученных микроструктур на соответствие требованиям.

Помните, что это краткое описание процесса. Детали и параметры могут различаться в зависимости от конкретной технологии и материалов.