Question

3. Приведите УГО транзисторов двух типов n-р-n- и р-n-рструктуры. Как маркируются такие транзисторы? 5. Объясните принцип работы БТ, включенного по схеме с ОБ, в активном режиме при воздействии на его переходы только постоянного напряжения. 6. Какие изменения возникнут в работе транзисторной схемы, если на вход транзистора, включенного по схеме с ОБ и работающею в активном режиме, подать переменный сигнал, а на выходе включить активную нагрузку? 7. Назовите токи, текущие во внешних цепях транзистора. Запишите первый закон Кирхгофа для токов транзистора, работающего в активном режиме. 8. Приведите семейства статических входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ. Объясните их ход. 9. Приведите уравнение нагрузочной прямой. Расскажите, как можно построить нагрузочную прямую. Для каких целей используют на практике статические характеристики транзистора? Нагрузочную прямую? 10. Изобразите схему усилителя на транзисторе, включенном по схеме с ОБ. Назовите ее основные параметры и область применения.

Answer 1

Ответ:

үеүпағ еғ ғаған ға үасеүмүпмүп

Answer 2

УГО транзисторов двух типов n-p-n и p-n-p структур и их маркировка

УГО транзисторы (униполярные гетерополевые транзисторы) включают в себя два типа структур: n-p-n и p-n-p.

Транзистор n-p-n состоит из трех слоев полупроводникового материала: двух слоев типа n (отрицательного типа) и одного слоя типа p (положительного типа). Транзистор p-n-p имеет аналогичную структуру, но с обратными типами слоев: два слоя типа p и один слой типа n.

Маркировка таких транзисторов обычно осуществляется с помощью букв и цифр. Например, для транзистора n-p-n маркировка может выглядеть как "2N3904", где "2N" указывает на тип транзистора, а "3904" - на его конкретную модель. Аналогично, для транзистора p-n-p маркировка может быть "2N3906".

Принцип работы БТ, включенного по схеме с ОБ, в активном режиме при воздействии на его переходы только постоянного напряжения

БТ (биполярный транзистор) включенный по схеме с ОБ (общим базисом) работает в активном режиме, когда на его переходы подается только постоянное напряжение. В этом режиме транзистор работает как усилитель сигнала.

При включении постоянного напряжения на базу транзистора, ток начинает протекать через базу и эмиттер. Это вызывает изменение электрического поля в области перехода база-эмиттер, что приводит к открытию перехода и протеканию тока коллектора. Таким образом, транзистор работает как усилитель, усиливая постоянный сигнал.

Изменения в работе транзисторной схемы при подаче переменного сигнала на вход и включении активной нагрузки на выходе

Если на вход транзистора, включенного по схеме с ОБ и работающего в активном режиме, подать переменный сигнал, то транзистор будет усиливать этот сигнал. При этом, если на выходе включить активную нагрузку, то транзистор будет способен усилить сигнал и выдать его на нагрузку.

Включение активной нагрузки на выходе позволяет усилить выходной сигнал и обеспечить его передачу на внешнюю нагрузку с минимальными потерями.

Токи, текущие во внешних цепях транзистора. Первый закон Кирхгофа для токов транзистора, работающего в активном режиме

Во внешних цепях транзистора, работающего в активном режиме, протекают следующие токи: - Ток базы (Ib) - ток, протекающий через базу транзистора. - Ток эмиттера (Ie) - ток, протекающий через эмиттер транзистора. - Ток коллектора (Ic) - ток, протекающий через коллектор транзистора.

Первый закон Кирхгофа для токов транзистора, работающего в активном режиме, утверждает, что сумма токов, втекающих в узел (эмиттер) транзистора, равна сумме токов, вытекающих из этого узла (коллектор) транзистора. То есть, Ie = Ib + Ic.

Семейства статических входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ

Статические входные и выходные характеристики транзистора, включенного по схеме с ОБ, позволяют оценить его работу в различных режимах и условиях.

Семейство статических входных характеристик (ВАХ) показывает зависимость тока базы (Ib) от напряжения база-эмиттер (Vbe) при постоянном напряжении коллектора (Vce). Это позволяет оценить, как транзистор реагирует на изменение входного сигнала.

Семейство статических выходных характеристик (ВХ) показывает зависимость тока коллектора (Ic) от напряжения коллектор-эмиттер (Vce) при постоянном токе базы (Ib). Это позволяет оценить, как транзистор реагирует на изменение выходного сигнала.

Уравнение нагрузочной прямой и ее построение. Назначение статических характеристик транзистора на практике

Уравнение нагрузочной прямой (НП) описывает зависимость тока коллектора (Ic) от напряжения коллектор-эмиттер (Vce) при постоянном токе базы (Ib) и постоянной активной нагрузке.

Нагрузочная прямая может быть построена на основе статических характеристик транзистора. Для построения НП необходимо выбрать несколько точек на семействе статических вы